«В 1000 раз быстрее флешек». Новый материал для мемристоров (резисторов, обладающих памятью) разработали исследователи Института физики полупроводников СО РАН в Новосибирске. Разработанные структуры могут использоваться для изготовления элементов памяти гибкой электроники. Они выдерживают многочисленные деформации, способны хранить и многократно перезаписывать информацию всего за 30 наносекунд, сообщает «Наука в Сибири». Мемристор – микроэлектронный компонент, изменяющий свое сопротивление в зависимости от протекшего через него электрического заряда. Время переключения измеряется в наносекундах, что примерно в 1000 раз меньше, чем у распространенной сейчас флэш-памяти. Соответственно, мемристор может выступать и как быстродействующая ячейка памяти, и как компонент нейроморфных сетей. «Лучший результат показали композитные пленки, состоящие из фторированного графена и наночастиц оксида ванадия – разница между токами в открытом и закрытом состояниях достигала девяти порядков. Если сравнивать с мировой практикой, аналогичные величины наблюдают при использовании полимеров или оксида графена, но первые нестабильны легко деградируют, а второй позволяет переключать мемристор лишь сотни раз», – рассказал сотрудник ИФП СО РАН Артем Иванов. При этом пересекающиеся проводящие дорожки с мемристорами вместо транзисторов в узлах очень просты в изготовлении. Мемристоры из нового композитного материала печатают на 2D-принтере: готовятся специальные чернила и машина наносит их на полимерный материал. Напечатанные структуры можно сгибать практически вдвое – проводящие компоненты не пострадают и продолжат переключаться. VN.RU Все новости Новосибирской области 13.11.2019 ООО "ИТБ" , Омск