|
![]() |
![]() |
|||||||||||
![]() |
![]() |
![]() |
||||||||||
![]() |
|
![]() |
![]() |
![]() |
![]()
|
Производство более 500 наименований типономиналов различных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем по следующим основным направлениям: - мощные вертикальные N- и P-канальные транзисторы (MOSFET) с областью рабочих напряжений 50-800В; - мощные биполярные транзисторы с областью рабочих напряжений 30-1500В и транзисторы Дарлингтона с областью рабочих напряжений 60-300В; - мощные и маломощные нерегулируемые и регулируемые стабилизаторы напряжения ; - мощные СВЧ-транзисторы; - мощные и маломощные аналоговые и импульсные интегральные микросхемы; - маломощные импульсные высоковольтные полевые и высокочастотные биполярные транзисторы; - высокочастотные варикапы, матрицы и диоды; - импульсные маломощные и мощные диодные матрицы; - микросхемы генераторов мелодий; - микропроцессорные БИС; - мощные ограничительно-выпрямительные диоды (18-32В, 40-50В); - мощные диоды Шоттки; - СБИС СОЗУ и ПЗУ. На заводе внедрена и сертифицирована система качества производства дискретных полупроводниковых приборов и микросхем на соответствие СТБ ИСО9001-2001. |
![]() |
![]() |
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А Сайт открыт 01.11.2000 © 2000-2018 Промышленная Сибирь |
Разработка дизайна сайта: Дизайн-студия "RayStudio" |
![]() |